パワー半導体の新技術・新製品開発を加速
三菱電機は、3月6日、パワーデバイス製作所（福岡県福岡市）内に新建設していた設計技術棟（パワーデバイス イノベーション センター）が、3月10日から稼働することを発表した。
延べ床面積は約11,000m2の広さを持ち、鉄骨（S）造、地上6階建てで、投資総額は約25億円だ。
同社はSiCパワー半導体などの開発を行っているが、多様化する市場ニーズにあった新製品開発の加速が求められ、今回の建設に至ったとしている。
（画像はニュースリリースより）
設計技術棟概要
設計技術棟は、さまざまな環境への配慮をし、断熱性向上による空調負荷軽減をはじめとして、人感照度センサー付きLED照明、あるいは自然採光・自然換気といった設備を備えているのが特徴だ。
さらに、エネルギー消費を制御管理する「Facima」という三菱電機独自のシステムも導入したことで、福岡市建築物環境配慮制度による格付けである、CASBEE（キャスビー：建築環境総合性能評価システム）では、最高ランクのSが認められたとしている。
市場ニーズに対応
三菱電機は、新しい「設計技術棟」へ営業・開発・設計技術部門を集約することで、各部門の連携を強め、新しい技術や、新製品の開発を進め、多様化するニーズに対応していきたいとしている。
▼外部リンク
三菱電機ニュースリリース
http://www.mitsubishielectric.co.jp/